佛山市海瑞拓中频熔炼炉中频芭乐污视频加热电源采用与G22×13配套的塑胶成型支架，先绕组，后绕组，两组采用双线并绕2×35压片，两组及两组之间用0.05mm的聚酯薄膜隔热。外包两层聚酯薄膜。同位素末端应有明显的标记，用于浸染和干燥。

佛山市中频熔炼炉用高功率半导体器件对温度的敏感度很大，例如：IGBT额定电流在25℃标称，而当环境温度为80℃时，允许工作电流降至25℃标称电流的50%。ER加热电源主要采用输入整流桥模块和逆变开关器件IGBT，由于它是产生热源的器件，温度升高不仅会降低加热电源的可靠性，而且还会导致功率器件性能恶化，失效，使电源平均无故障工作时间缩短，因此，必须为功率器件创造良好的散热条件，以提高加热电源的可靠性。

在中频熔炼炉电磁芭乐污视频加热电源的设计中，功率半导体器件的散热设计也成为一个必不可少的重要课题。在高频状态下，功率器件开机、关断和稳态状态下的开关损耗和导通损耗产生的热量积聚是引起器件结温升高的主要原因，为了限制热积聚导致半导体功率器件结温超过允许结温，使功率器件在安全结温下可靠工作，必须解决功率器件散热问题，降低结温。除采用优良的变换控制技术和低损耗器件外，加强散热也是解决半导体器件中温升积累问题的重要措施。